文章通讯作者为山东大学桑元华教授、天津山东大学刘宏教授，天津第一作者为山东大学晶体材料国家重点实验室的高文强博士和博士研究生赵晓蕾，山东大学为第一作者和通讯作者单位。
四、支持资力【数据概览】 图1 CuGa杂化材料的合成©ACSPublications（a）CuGa制备示意图。然而，民营使用铜基催化剂制备C2+产物，仍然存在活性差、选择性和效率低的问题，尤其是在较大电流密度（安培级）的电解条件下。
服务（f）Cu和CuGa-II的Cu2p1/2和Cu2p3/2的XPS图像。（c）CuGa的Ga4p/3d轨道PDOS，机构加CO分子的DOS以及CO在CuGa表面化学吸附后的相互作用。在-1.07V电位下，可再CuGa-II的C2+FE可达81.5%，电流密度高达0.9A/cm2，其中C2+产物的分电流密度可达0.73A/cm2。
C2+产物生成不理想的主要原因是催化剂表面复杂的电子转移和*CO中间体的结合能力差，源发域投导致其它竞争途径的发生，源发域投这极大地阻碍了铜基催化剂的实际应用。在-1.07V的电位下，电和等领度电流密度可达到0.9A/cm2，并且C2+法拉第效率（FE）高达81.5%。
迄今为止，天津铜基催化剂在电化学CO2还原制备多碳产物中有着广泛的报道。
实验和理论研究表明，支持资力CuGa的优异性能源自Cu和Ga的p-d杂化相互作用，不仅丰富了反应位点，还增强了*CO中间体的结合强度，促进了C-C偶联。外媒认为，民营G4系列将采用亮度更高且拥有更好抗反射涂层的MLAOLED面板，C4系列则不会采用该面板
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